Electron microscopy; proceedings of the Electron microscopy; proceedings of the Stockholm Conference, September, 1956 electronmicrosco00euro Year: 1957 ^2 HANSZEN Fig. 7. Zerstorungen in einer Wismutaufdampfschicht auf SiO-Unterlage durch Vakuumtempern auf 200'C. Oben: Unbedeckte Schicht mit Verschmutzung; unten: Schicht, mit einer im Elektronenmikroskop entstandenen Kohlebe- deckung. niger Lucken aufweisen als nur senkrecht bedampfte Silberschichten. Liickenbildungen der besprochen Art sind von Bryant und Mitarbeiter (1) erstmalig an Wisinut beo- bachtet worden. Sie erklarten diese
Electron microscopy; proceedings of the Electron microscopy; proceedings of the Stockholm Conference, September, 1956 electronmicrosco00euro Year: 1957 ^2 HANSZEN Fig. 7. Zerstorungen in einer Wismutaufdampfschicht auf SiO-Unterlage durch Vakuumtempern auf 200'C. Oben: Unbedeckte Schicht mit Verschmutzung; unten: Schicht, mit einer im Elektronenmikroskop entstandenen Kohlebe- deckung. niger Lucken aufweisen als nur senkrecht bedampfte Silberschichten. Liickenbildungen der besprochen Art sind von Bryant und Mitarbeiter (1) erstmalig an Wisinut beo- bachtet worden. Sie erklarten diese Erscheinung als eine Verdampfung der Schicht an Stellen herabge- setzter Warmeleitfahigkeit durch mangelnden Kon- takt mit der Unterlage. DaB jedoch diese Erklarung den wesentlichen Kern des Vorgangs nicht triflFt, lehrt die Tatsache, daB die gleichen Schaden auch beim Tempern im Of en auftreten, wo ganz andere Warmeerzeugungs- und -ableitungsbedingungen vor- liegen und nach solchen Uberlegungen der beobach- tete Effekt nicht auftreten diirfte (Fig. 6). Der Dampfdruck des Wismuts Hegt um mehrere Zehnerpotenzen hoher als der von Silber. Aus diesem Umstand erklart es sich. daB bei diesem Metall auch Liickenbildungen durch Tempern unbedeckterSchich- ten, bevorzugt an verunreinigten Stellen, auftraten. DaB auch hier die Verdampfung durch die Kohle- hiille wesentlich gefdrdert werden kann, ist aus Fig. 7 zu entnehmen. Wiihrend beim Tempern von Silber auf niedrigere Temperaturen noch der schiitzende EinfluB der Um- hiillurg vorherrscht, tritt an A^w/T/t^/'Schichten schon unter den gleichen Bedingungen der gegenteilige Effekt ein: Bedeckte Kupferaufdampfschichten auf SiO-Trager weisen bereits bei niedrigeren Tempera- turen Lucken auf, wahrend unbedeckte Schichten noch nicht veriindert sind. Ebenso findet bei hoheren Temperaturen unter der Bedeckung eine vorzeitige Aggregation statt^ (Fig. 8). Bei der Interpretation dieser Befunde ist zu beden-
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